Transistores de efecto de campo, con un coeficiente de disipación inferior a 1 vatio.

Transistor JFET

47150.02.01

C2610.92

8541.21.00.00

8541.21.00.00

El transistor de efecto de campo de unión (JFET) es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente. El JFET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal".

Se usa como interruptores, en muchas aplicaciones, puesto que se pude controlar su conductividad aplicándole una tensión en la puerta

Potencia

Vatios (W)

Peso:

Depende de las dimensiones

Dimensiones:

Depende del modelo y de sus características

Capacidad:

Resistencia:

Resistente a cargas de tensión eléctrica

Voltaje:

Potencia:

Inferior a un vatio